买卖IC网 >> 产品目录43263 >> BSZ16DN25NS3 G MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON datasheet 分离式半导体产品
型号：

BSZ16DN25NS3 G

库存数量：5,000
制造商：Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSZ16DN25NS3 G PDF下载
标准包装 5,000
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 165 毫欧 @ 5.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 32µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 11.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 920pF @ 100V
功率 - 最大 62.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商设备封装 -
包装 带卷 (TR)
其它名称 BSZ16DN25NS3G
BSZ16DN25NS3GTR
SP000781800
相关资料
属性
链接
代理商 BSZ16DN25NS3 G
BSZ16DN25NS3G
BSZ180P03NS3 G
BSZ180P03NS3E G
BSZ180P03NS3EG
BSZ180P03NS3G
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  • BSZ16DN25NS3 G 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    5,000 1.08186 5409.3
    10,000 1.040256 10402.5
    25,000 1.019448 25486.128
    50,000 0.99864 49932